Optimisation of the carrier lifetime profile in 1.2kV planar and trench SiC MOSFETs

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标题	Optimisation of the carrier lifetime profile in 1.2kV planar and trench SiC MOSFETs
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ISPSD49238.2022.9813631
DOI	10.1109/ISPSD49238.2022.9813631 doi
求助人	一只小蜜蜂在 2026-09-23 15:09:03 发布自北京，悬赏 10 积分
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