| 标题 |
Native Defects Enable Facile Measurement of the Carrier Concentration in Two-Dimensional Semiconductors Using Kelvin Probe Force Microscopy 相关领域
开尔文探针力显微镜
半导体
材料科学
载流子寿命
光电子学
工作(物理)
显微镜
曲面(拓扑)
伏打电位
纳米技术
扫描探针显微镜
载流子
载流子密度
分析化学(期刊)
表面状态
化学物理
化学
表面光电压
半导体材料
半导体器件
原子力显微镜
导电原子力显微镜
边带
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Nano Letters 作者:Kenneth Ortiz Chua; Devon P. Leimkuhl; Pablo Fernandez; Amar Kumbhar; Rene Lopez; et al 出版日期:2026-09-21 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)