| 标题 |
  An Artificial Synaptic Device Based on InSe/Charge Trapping Layer/h-BN Heterojunction with Controllable Charge Trapping via Oxygen Plasma Treatment 相关领域
神经形态工程学
材料科学
异质结
计算机科学
光电子学
纳米技术
整改
电子工程
理论（学习稳定性）
线性
神经促进
氧化铟锡
半导体
电导
动态范围
冯·诺依曼建筑
纳米电子学
航程（航空）
脉搏（音乐）
等离子体
纳米
生物系统
电容
趋同（经济学）
计算
促进
铟
硒化物
电容器
领域（数学）
电
载流子
电场
人工神经网络
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Qinghui Wang; Jiayong Wang; Manjun Lu; Tieying Ma; Jia Li 出版日期：2025-12-18 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Copyright
Kao
无极微光
潇洒的惋清
Nole
学术文献互助
cdercder
魔法屎尿屁
Zephyrite
务实狗
arniu2008
蓝天
OK
GingerF
XL
sagitar
行走的荷尔蒙
Nexus
雪满头
核桃
皖公网安备34019202002308
