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 Transport measurements in silicon-on-insulator films: Comparison of Hall effect, mobility spectrum, and pseudo-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor techniques 相关领域
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：T. V. Chandrasekhar Rao; J. Antoszewski; L. Faraone; S. Cristoloveanu; Thang K. Nguyen; et al 出版日期：2008-02-01 |
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