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  Compact modeling of quantum confinements in nanoscale gate-all-around MOSFETs 纳米级全栅极MOSFET量子限制的紧凑建模
相关领域
纳米片
MOSFET
量化（信号处理）
泊松方程
量子点
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期刊：Fundamental Research 作者：Baokang Peng; Yanxin Jiao; Haotian Zhong; Rong Zhao; Zirui Wang; et al 出版日期：2023-02-14 |
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