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[高分]
 Surface Stoichiometry Dependence of Ambipolar SiGe Tunnel Field-effect Transistors and Its Effect on the Transient Performance Improvement 双极SiGe隧道场效应晶体管的表面化学计量依赖性及其对瞬态性能改善的影响
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Minjeong Ryu; Woo-Young Choi 出版日期：2024-02-29 |
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