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 Electrical characteristics of 4.5 kV implanted anode 4H-SiC p-i-n junction rectifiers 4.5 kV注入阳极4H-SiC p-i-n结整流器的电学特性
相关领域
阳极
材料科学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：J.B. Fedison; N. Ramungul; T. Paul Chow; M. Ghezzo; J. Kretchmer 出版日期：2001-03-01 |
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