Contact resistance reduction using Fermi level de-pinning layer for MoS<inf>2</inf> FETs

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标题	Contact resistance reduction using Fermi level de-pinning layer for MoS<inf>2</inf> FETs
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7038718/7046955/07046986...
DOI	10.1109/iedm.2014.7046986 doi
其它	期刊：2014 IEEE International Electron Devices Meeting 作者：Woojin Park; Yonghun Kim; Sang Kyung Lee; Ukjin Jung; Jin Ho Yang; et al 出版日期：2015-02-24
求助人	wz 在 2026-05-12 21:53:41 发布自湖南，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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