High-Performance Depletion/Enhancement-ode $\beta$ -Ga2O3 on Insulator (GOOI) Field-Effect Transistors With Record Drain Currents of 600/450 mA/mm

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标题	High-Performance Depletion/Enhancement-ode $\beta$ -Ga2O3 on Insulator (GOOI) Field-Effect Transistors With Record Drain Currents of 600/450 mA/mm
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/55/7802592/07765124.pdf?...
DOI	10.1109/led.2016.2635579 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hong Zhou; Mengwei Si; Sami Alghamdi; Gang Qiu; Lingming Yang; Peide D. Ye 出版日期：2016-12-03
求助人	wangjunhao 在 2026-06-01 15:48:12 发布自河北，悬赏 10 积分
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