| 标题 |
[高分]
 Field impoverishment modes in a diode with an AlxGa1−xAS/GaAs heterojunction: a simulation analysis AlxGa1-xAs/GaAs异质结二极管中的场耗尽模式：模拟分析
相关领域
异质结
电子
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电场
凝聚态物理
领域（数学）
空间电荷
半导体
物理
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计算物理学
材料科学
光电子学
数学
量子力学
纯数学
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| DOI |
10.1049/ip-g-2.1991.0017
doi
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| 其它 |
期刊：IEE Proceedings G Circuits Devices and Systems 作者：Carlos A. F. Fernandes; H. Abreu Santos 出版日期：1991-01-01 |
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