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 Dislocation reduction in an MOVPE-grown CdTe/Si epilayer by ex-situ annealing and its effect on the performances of gamma ray detectors fabricated 非原位退火减少MOVPE生长的CdTe/Si外延层中的位错及其对γ射线探测器性能的影响
相关领域
退火（玻璃）
材料科学
金属有机气相外延
碲化镉光电
光电子学
异质结
位错
腐蚀坑密度
外延
分析化学（期刊）
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复合材料
化学
蚀刻（微加工）
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期刊：Physica Scripta 作者：Bharat S. Chaudhari; M. Niraula; R. Okumura; T. Maruyama 出版日期：2023-12-12 |
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