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Effect of surface gallium termination on the formation and emission energy of an InGaAs wetting layer during the growth of InGaAs quantum dots by droplet epitaxy
液滴外延生长InGaAs量子点时表面镓端接对InGaAs润湿层形成和发射能量的影响
相关领域
光致发光 材料科学 润湿层 量子点 外延 光电子学 发光 镓 透射电子显微镜 分子束外延 润湿 砷化镓 图层（电子） 纳米技术 复合材料 冶金
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6528/acabd1
AI链接 iop.org hal.science arxiv.org arxiv.org nih.govdoi.org
DOI
10.1088/1361-6528/acabd1 doi
其它 期刊：Nanotechnology
作者：David Fricker; P. Atkinson; X. Jin; Mihail Ion Lepsa; Zhiyuan Zeng; et al
出版日期：2022-12-15
求助人
langyu 在 2025-08-28 12:37:27 发布，悬赏 10 积分
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