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  Effect of surface gallium termination on the formation and emission energy of an InGaAs wetting layer during the growth of InGaAs quantum dots by droplet epitaxy 液滴外延生长InGaAs量子点时表面镓端接对InGaAs润湿层形成和发射能量的影响
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期刊：Nanotechnology 作者：David Fricker; P. Atkinson; X. Jin; Mihail Ion Lepsa; Zhiyuan Zeng; et al 出版日期：2022-12-15 |
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