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标题
[高分] Temperature dependence of hot-carrier effects in 0.2 µm N- and P-channel fully-depleted Unibond MOSFETs
相关领域
跨导 材料科学 降级（电信） 频道（广播） 阈值电压 光电子学 MOSFET 大气温度范围 信道长度调制 电流（流体） 电气工程 电压 物理 晶体管 工程类 热力学
网址
https://doi.org/10.1051/jp4:1998303
DOI
10.1051/jp4:1998303 doi
其它 期刊：Journal de Physique IV (Proceedings)
作者：S.H. Renn; C. Raynaud; F. Balestra
出版日期：1998-06-01
求助人
yyyn 在 2025-10-13 19:50:17 发布自天津，悬赏 50 积分
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