| 标题 |
[高分]
 Temperature dependence of hot-carrier effects in 0.2 µm N- and P-channel fully-depleted Unibond MOSFETs 相关领域
跨导
材料科学
降级（电信）
频道（广播）
阈值电压
光电子学
MOSFET
大气温度范围
信道长度调制
电流（流体）
电气工程
电压
物理
晶体管
工程类
热力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal de Physique IV (Proceedings) 作者：S.H. Renn; C. Raynaud; F. Balestra 出版日期：1998-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Criminology34
GingerF
cnspower
王雪
无极微光
jfkyt
时尚梦易
OK
Copyright
潇洒的惋清
结实的小蚂蚁
可耐的鑫磊
学术文献互助
pluto
MchemG
初景
遇上就这样吧
儒雅的板栗
嘉心糖
皖公网安备34019202002308
