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Enhancing Power Density in D-mode GaN HEMT Direct-current Triboelectric Nanogenerators through ICP-Etched Surface Engineering 通过ICP刻蚀表面工程提高D模GaN HEMT直流摩擦电纳米发电机的功率密度
相关领域
摩擦电效应
材料科学
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高电子迁移率晶体管
电流密度
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期刊:Materials Today Communications 作者:Qianqian Luo; YaoZe Li; Jianli Ji; Kai Xiao; Jianyu Deng; et al 出版日期:2024-11-01 |
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