Effect of lateral inhomogeneous AlGaN barrier layer on electronic properties of GaN HEMTs

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标题	Effect of lateral inhomogeneous AlGaN barrier layer on electronic properties of GaN HEMTs 横向非均匀AlGaN势垒层对GaN HEMTs电子性能的影响相关领域高电子迁移率晶体管材料科学光电子学阻挡层击穿电压饱和电流晶体管饱和（图论）阈值电压图层（电子）电压电气工程纳米技术数学组合数学工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2024.207871
DOI	10.1016/j.micrna.2024.207871 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：Yuchen Guo; Yuke Ren; Zhihao Peng; Xiaochen Ma; Shuti Li; et al 出版日期：2024-05-13
求助人	DDDDDU 在 2025-12-03 17:04:38 发布自重庆，悬赏 10 积分
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