Effect of lateral inhomogeneous AlGaN barrier layer on electronic properties of GaN HEMTs

高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 阻挡层 击穿电压 饱和电流 晶体管 饱和(图论) 阈值电压 图层(电子) 电压 电气工程 纳米技术 数学 组合数学 工程类
作者
Yuchen Guo,Yuke Ren,Zhihao Peng,Xiaochen Ma,Shuti Li,Shuwen Zheng
出处
期刊:Micro and nanostructures [Elsevier BV]
卷期号:191: 207871-207871 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.micrna.2024.207871
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