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 Record-High $\mathbf{Pr}\left(2 \mathbf{Pr}>\mathbf{40} \mu \mathbf{C} / \mathbf{cm}^{2}\right)$ in 3 nm (Physical) Ferroelectric HZO Annealed at $\mathbf{450}^{\circ}\mathbf{C}$: High-T (85 °C) Electrical Cycling and Oxygen Vacancy Engineering 相关领域
物理
结晶学
凝聚态物理
化学
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| 其它 |
期刊：2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Yang Feng; Xiaolin Wang; Yaoyu He; Yuye Kang; Dong Zhang; et al 出版日期：2025-07-19 |
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