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 Reliability Improvement and Effective Switching Layer Model of Thin‐Film MoS2 Memristors MoS2薄膜忆阻器的可靠性改进及有效开关层模型
相关领域
材料科学
可靠性（半导体）
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Yifu Huang; Yuqian Gu; Sivasakthya Mohan; Andrei Dolocan; Nicholas D. Ignacio; et al 出版日期：2023-04-13 |
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