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  Properties of Z1 and Z2 Deep-Level Defects in n-Type Epitaxial and High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC n型外延和高纯半绝缘4H-SiC中Z1和Z2深能级缺陷的性质
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期刊：Crystals 作者：P. Kamiński; R. Kozłowski; J. Żelazko; Kinga Kościewicz; Tymoteusz Ciuk 出版日期：2024-06-07 |
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