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标题
Origins of High Mobility and Low Operation Voltage of Amorphous Oxide TFTs: Electronic Structure, Electron Transport, Defects and Doping
相关领域
薄膜晶体管 材料科学 钝化 光电子学 晶体管 无定形固体 半导体 兴奋剂 阈下传导 氧化物薄膜晶体管 阈值电压 微电子 电子迁移率 半导体器件 非晶硅 电气工程 电压 纳米技术 图层(电子) 化学 结晶学 工程类 晶体硅
网址
DOI
10.1109/jdt.2009.2021582 doi
其它 期刊:Journal of Display Technology
作者:Toshio Kamiya; Kenji Nomura; Hideo Hosono
出版日期:2009-07-01
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嘿嘿 在 2026-01-15 15:09:53 发布自陕西,悬赏 10 积分
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