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 Interface Recombination in Ga- and N-Polar GaN/(Al,Ga)N Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy 分子束外延生长GaN和N极性GaN/（Al，Ga）N量子阱中的界面复合
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期刊：Physical Review Applied 作者：T. Auzelle; C. Sinito; J. Lähnemann; G. Gao; T. Flissikowski; et al 出版日期：2022-04-16 |
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