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 Insights on Asymmetrical Electrode Geometric Effect to Enhance Gate-Drain-Bias Stability of Vertical-Channel InGaZnO Thin-Film Transistor 非对称电极几何效应增强垂直沟道InGaZnO薄膜晶体管栅漏偏压稳定性的见解
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期刊：Electronic Materials Letters 作者：Dong-Hee Lee; Young-Ha Kwon; Nak‐Jin Seong; Kyu-Jeong Choi; Jong‐Heon Yang; et al 出版日期：2024-07-30 |
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