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 Low‐Temperature Polysilicon Oxide Thin‐Film Transistors with Coplanar Structure Using Six Photomask Steps Demonstrating High Inverter Gain of 264 V V−1 具有共面结构的低温多晶硅氧化物薄膜晶体管，使用六个光掩模台阶，表现出264 V V−1的高反相增益
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
氧化物薄膜晶体管
无定形固体
阈值电压
晶体管
电气工程
电压
纳米技术
图层（电子）
结晶学
化学
工程类
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| 其它 |
期刊：Advanced Engineering Materials 作者：Duk Young Jeong; Yeoungjin Chang; Won Gyeong Yoon; Youngbin Do; Jin Jang 出版日期：2020-01-31 |
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