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 Temperature-Dependent Electrical Properties of nMOSFETs With Different Thickness Al₂O₃ Capping Layer and TiN Gate 不同厚度Al₂O₃覆盖层和TiN栅极NMOSFET的温度相关电学特性
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Danghui Wang; Junna Zheng; Yang Zhang; Tianhan Xu; E Simoen; et al 出版日期：2021-10-19 |
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