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 MOCVD epitaxy of β -(AlxGa1−x)2O3 thin films on (010) Ga2O3 substrates and N-type doping (010)Ga2O3衬底上β-(AlxGa1-x)2O3薄膜的MOCVD外延及N型掺杂
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Alauddin Bhuiyan; Zixuan Feng; Jared M. Johnson; Zhaoying Chen; Hsien‐Lien Huang; et al 出版日期：2019-09-16 |
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