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 Design and fabrication of high electron mobility transistor devices with gallium nitride-based 氮化镓基高电子迁移率晶体管器件的设计与制备
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
异质结
氮化镓
晶体管
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纳米技术
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期刊：Chinese Physics 作者：Yongwei Zhu; Song Huihui; Yuehua Wang; Li Lailong; Shi Dong 出版日期：2017-01-01 |
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