Towards information storage by designing both electron and hole detrapping processes in bismuth and lanthanide-doped LiRE(Si,Ge)O4 (RE = Y, Lu) with high charge carrier storage capacity

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标题	Towards information storage by designing both electron and hole detrapping processes in bismuth and lanthanide-doped LiRE(Si,Ge)O4 (RE = Y, Lu) with high charge carrier storage capacity
网址	https://doi.org/10.1016/j.cej.2020.124776
DOI	10.1016/j.cej.2020.124776 doi
其它	期刊：Chemical Engineering Journal 作者：Tianshuai Lyu; P. Dorenbos 出版日期：2020-03-15
求助人	宋章在 2026-10-11 14:49:27 发布自江西，悬赏 10 积分
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