| 标题 |
Conduction mechanism of TiN/HfOx/Pt resistive switching memory: A trap-assisted-tunneling model |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Shimeng Yu; Ximeng Guan; H.‐S. Philip Wong 出版日期:2011-08-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)