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Effect of HBr additive on the performance of all-inorganic Cs3Bi2Br9 halide perovskite resistive switching memory
HBr添加剂对全无机Cs3Bi2Br9卤化物钙钛矿电阻开关存储器性能的影响
相关领域
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期刊:Journal of Alloys and Compounds 作者:Jianghua Xu; Jianping Xu; Shaobo Shi; Wei-Hao Bian; Jing Chen; et al 出版日期:2023-12-01 |
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