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Bias-Dependent Total Ionizing Dose Effects in p-GaN Gate HEMTs: Capacitance-Based Charge Mapping and Defect Identification |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Zhao Wang; S. Yuan; M. Qiao; Bo Zhang 出版日期:2026-06-01 |
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(2025-6-4)