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标题
Optimization of Channel Structures in InP HEMT Technology for Cryogenic Low-Noise and Low-Power Operation
低温低噪声低功耗InP HEMT工艺沟道结构优化
相关领域
高电子迁移率晶体管 跨导 放大器 噪声温度 噪音（视频） 电气工程 噪声系数 材料科学 光电子学 晶体管 分析化学（期刊） 物理 化学 CMOS芯片 计算机科学 工程类 相位噪声 色谱法 图像（数学） 电压 人工智能
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3255160
DOI
10.1109/ted.2023.3255160 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Eunjung Cha; Niklas Wadefalk; Giuseppe Moschetti; Arsalan Pourkabirian; J. Stenarson; et al
出版日期：2023-03-14
求助人
YF 在 2025-08-25 19:05:03 发布，悬赏 10 积分
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