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[高分]
 Review of Recent Developments in Growth of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors on 4H-SiC by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 等离子体辅助分子束外延在4H-SiC上生长AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研究进展
相关领域
材料科学
分子束外延
光电子学
晶体管
高电子迁移率晶体管
工程物理
等离子体
外延
图层（电子）
纳米技术
电气工程
电压
量子力学
物理
工程类
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期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：A. Corrion 出版日期：2006-07-01 |
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