High responsivity in MoS2 phototransistors based on charge trapping HfO2 dielectrics

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标题	High responsivity in MoS2 phototransistors based on charge trapping HfO2 dielectrics 基于电荷俘获HfO2电介质的MoS2光电晶体管的高响应性相关领域响应度光探测光电子学材料科学光电探测器电介质比探测率暗电流图像传感器光学物理
网址	https://www.nature.com/articles/s43246-020-00103-0.pdf
DOI	10.1038/s43246-020-00103-0 doi
其它	期刊：Communications materials 作者：Roda Nur; Takashi Tsuchiya; Kasidit Toprasertpong; Kazuya Terabe; Shinichi Takagi; et al 出版日期：2020-12-18
求助人	026 在 2025-08-29 23:08:10 发布自云南，悬赏 10 积分
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