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 Effects of the voltage ramp rate on the conduction characteristics of HfO2-based resistive switching devices 电压斜坡率对HfO2基电阻开关器件导通特性的影响
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：H. García; Guillermo Vinuesa; E. García-Ochoa; Fernando Aguirre; Mireia Bargalló González; et al 出版日期：2023-06-02 |
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