A Back-Illuminated 10 μm-Pitch SPAD Depth Sensor with 42.5% PDE at 940 nm using an Optimized Doping Design

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标题	A Back-Illuminated 10 μm-Pitch SPAD Depth Sensor with 42.5% PDE at 940 nm using an Optimized Doping Design 采用优化的掺杂设计的背照式10 μ m间距SPAD深度传感器，在940纳米处具有42.5% PDL
网址	https://doi.org/10.23919/VLSITechnologyandCir65189.2025.1107...
DOI	10.23919/VLSITechnologyandCir65189.2025.11075014 doi
其它	期刊：2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：S. Shimada; Y. Otake; J. Suzuki; A. Magori; K. Kurata; et al 出版日期：2025
求助人	splatoon 在 2025-07-23 14:39:59 发布自广东，悬赏 10 积分
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