| 标题 |
 Enhancing the electrical performance and stability of Hf-doped InZnO thin film transistors using dual-target co-sputtering technique 利用双靶共溅射技术提高掺HF InZnO薄膜晶体管的电学性能和稳定性
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
兴奋剂
晶体管
铪
压力（语言学）
宽禁带半导体
氧化物
氧气
阈值电压
氧化物薄膜晶体管
噪音（视频）
载流子寿命
理论（学习稳定性）
功率（物理）
电子迁移率
逻辑门
电流密度
半导体
次声
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaocheng Ma; Ablat Abliz; Da Wan; Jingli Wang; Xingqiang Liu 出版日期：2025-10-06 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
东方元语
Kao
xing_xing
OK
张欢馨
123
cdercder
Huang
aajhajkahna
东风
学术文献互助
cocodu
企鹅QQ
yz
sagitar
七听
渡人舟
pluto
上岸
皖公网安备34019202002308
