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 Reverse Bias Stress-Induced Turn-On Voltage Shift in Recessed AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes 凹入式AlGaN/GaN肖特基势垒二极管中反向偏压引起的导通电压偏移
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Rasik Rashid Malik; Vipin Joshi; Rajarshi Roy Chaudhuri; Sayak Dutta Gupta; Mayank Shrivastava 出版日期：2023-10-12 |
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