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Low Interface Trap Density 4H-SiC MIS Structure With SiO₂ Grown by Sub- 1000 °C Intermittent Spray Hydrated Oxidation (ISHO) for UV Sensor Applications 用于紫外传感器应用的低界面陷阱密度4H-SiC MIS结构
相关领域
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Wei‐Chi Liao; Jenn‐Gwo Hwu 出版日期:2024-11-05 |
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