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 Fabricating and TCAD Optimization for a SiC Trench MOSFET With Tilted P-Shielding Implantation and Integrated TJBS 倾斜P屏蔽注入和集成TJBS的SiC沟槽MOSFET的制作和TCAD优化
相关领域
电磁屏蔽
沟槽
材料科学
MOSFET
光电子学
离子注入
电气工程
碳化硅
电子工程
工程物理
工程类
晶体管
纳米技术
化学
电压
复合材料
离子
有机化学
图层（电子）
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Bo Yi; Huan Li; Bingke Zhang; Yi Xu; WenKun Shi; et al 出版日期：2024-02-13 |
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