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标题
Enhanced resistive switching properties of HfAlOx/ZrO2- based RRAM devices
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网址
https://doi.org/10.1016/j.pnsc.2022.09.013
AI链接 doaj.orgdoi.org
DOI
10.1016/j.pnsc.2022.09.013 doi
其它 期刊：Progress in Natural Science Materials International
作者：P.R. Sekhar Reddy; Venkata Raveendra Nallagatla; Yedluri Anil Kumar; G. Murali
出版日期：2022-10-01
求助人
关山刘德华 在 2026-01-09 17:16:48 发布自吉林，悬赏 10 积分
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