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 Homoepitaxial N-polar GaN layers and HEMT structures grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy 相关领域
材料科学
分子束外延
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：David F. Storm; David J. Meyer; D. S. Katzer; S.C. Binari; Tanya Paskova; et al 出版日期：2012-01-12 |
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