Gamma-Ray Irradiation Induced Dielectric Loss of SiO2/Si Heterostructures in Through-Silicon Vias (TSVs) by Forming Border Traps

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标题	Gamma-Ray Irradiation Induced Dielectric Loss of SiO2/Si Heterostructures in Through-Silicon Vias (TSVs) by Forming Border Traps 伽马射线辐照通过形成边界陷阱诱导硅通孔中SiO2/Si异质结构的介电损耗相关领域辐照材料科学电介质光电子学介电损耗硅异质结辐射半导体抵抗纳米技术图层（电子）光学物理核物理学
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01646
DOI	10.1021/acsaelm.3c01646 doi
其它	期刊：ACS applied electronic materials 作者：Guanghui Zhang; Zeng-hui Yang; Xiaoshi Li; Shuairong Deng; Yang Liu; et al 出版日期：2024-01-29
求助人	笨笨豌豆在 2025-04-27 16:17:23 发布自北京，悬赏 10 积分
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