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 Improved Performance of the Al2O3-Protected HfO2–TiO2 Base Layer with a Self-Assembled CH3NH3PbI3 Heterostructure for Extremely Low Operating Voltage and Stable Filament Formation in Nonvolatile Resistive Switching Memory 用自组装CH3NH3PbI3异质结构改善Al2O3保护的HfO2-TiO2基层的性能，用于极低的工作电压和稳定的非易失性电阻开关存储器中的灯丝形成
相关领域
材料科学
光电子学
氧化物
退火（玻璃）
化学工程
非易失性存储器
锡
氧化锡
无定形固体
非阻塞I/O
图层（电子）
溶解过程
纳米技术
兴奋剂
催化作用
复合材料
工程类
有机化学
化学
冶金
生物化学
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Twinkle George; A. Vadivel Murugan 出版日期：2022-11-03 |
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