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Impact of boron diffusion on oxynitrided gate oxides in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:M. Cabello; V. Soler; J. Montserrat; J. Rebollo; J. M. Rafí; et al 出版日期:2017-07-25 |
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