Feasibility of Gate Oxide Degradation Identification in SiC MOSFETs Using Convolutional Neural Network

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标题	专利、报告等 Feasibility of Gate Oxide Degradation Identification in SiC MOSFETs Using Convolutional Neural Network
网址	http://dx.doi.org/10.2139/ssrn.7073042
DOI	10.2139/ssrn.7073042 doi
其它	期刊：Elsevier BV 作者：Shinya Amano; Mizuki Tsubakihara; Rion Kawata; Shunsuke Sasabe; Shin-Ichiro Hayashi 出版日期：2026-01-01
求助人	李q 在 2026-07-14 16:00:00 发布自亚太地区，悬赏 10 积分
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