Environmentally and Electrically Stable Sol−Gel-Deposited SnO2 Thin-Film Transistors with Controlled Passivation Layer Diffusion Penetration Depth That Minimizes Mobility Degradation

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标题	[求助补充材料] Environmentally and Electrically Stable Sol−Gel-Deposited SnO2 Thin-Film Transistors with Controlled Passivation Layer Diffusion Penetration Depth That Minimizes Mobility Degradation
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsami.1c23955
DOI	10.1021/acsami.1c23955 doi
求助人	志明312 在 2026-07-17 11:55:58 发布自河南，悬赏 20 积分
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