| 标题 |
  Wafer level response to mask deficiencies in 0.55-numerical aperture extreme ultraviolet photolithography 相关领域
极紫外光刻
临界尺寸
薄脆饼
光刻胶
光学
涟漪
极端紫外线
光刻
平版印刷术
材料科学
数值孔径
表面光洁度
紫外线
光掩模
特征（语言学）
光电子学
抵抗
物理
纳米技术
波长
工程类
激光器
电气工程
复合材料
电压
语言学
图层（电子）
哲学
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| DOI |
10.1117/1.jmm.21.4.044401
doi
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| 其它 |
期刊：Journal of micro/nanopatterning, materials, and metrology 作者：Lawrence S. Melvin; R. Jonckheere 出版日期：2022-10-14 |
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