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 Enhancement-mode GaN p-FET with p-NiO/p-GaN heterojunction gate featuring improved threshold voltage stability and channel conductivity based on low interface trap density 相关领域
跨导
材料科学
阈值电压
光电子学
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宽禁带半导体
磁滞
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逻辑门
晶体管
电流密度
存水弯（水管）
电压
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氮化镓
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砷化镓
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电阻率和电导率
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yì Wáng; Maojun Wang; P Wang; Jin Wei; Yì Wáng; et al 出版日期：2026-04-27 |
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