High Channel Mobility and Stable E-Mode Operation in AlSiO/AlN/m-Plane P-Type GaN MOSFETs with Little Temperature Dependence of the Threshold Voltage

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标题	High Channel Mobility and Stable E-Mode Operation in AlSiO/AlN/m-Plane P-Type GaN MOSFETs with Little Temperature Dependence of the Threshold Voltage
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10872985/10872987/108735...
DOI	10.1109/iedm50854.2024.10873525 doi
其它	期刊：2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Kenji Ito; Tetsuo Narita; Masakazu Kanechika; Hiroko Iguchi; Shiro Iwasaki; et al 出版日期：2025-02-19
求助人	小瓶子在 2026-04-11 16:44:39 发布自中国，悬赏 10 积分
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