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 Gate Charge Based Fast and Robust Short-Circuit Protection for Ohmic gate p-GaN HEMTs 相关领域
高电子迁移率晶体管
稳健性（进化）
欧姆接触
材料科学
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光电子学
氮化镓
波形
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电气工程
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计算机科学
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期刊：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者：Xi Jiang; J. Bradley Chen; Yue Wu; Hao Niu; Song Yuan; et al 出版日期：2026-01-01 |
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